第二二九章 巨磁阻内存 (第2/2页)

“Article一般比Letters更严谨，篇幅也更长，Letters注重开创性和时效性，有些细节可以模湖处理，总的来说还是Article的分量更重，不过PRL就是一家快报类的物理期刊，我发的论文是一篇Letters……”

这丫头大概是想捧跟，可惜连PRL期刊的性质都没搞清，马屁拍到马脚上。

能够成为糖糖的闺蜜，她的颜值也在7.5分以上，在美女贫瘠的清华园可以当系花了，但是脑子好像不太够用。

“我们系里的几位老师都对您的论文评价很高，据说有非常巨大的应用价值，但我还是不太理解，您能详细解释一下吗？”

糖糖问出的第二个问题，还是充满善意，方便曲军随便吹牛皮。

那就放飞自我的吹一把。

巨磁阻效应能够获得诺奖，三分是因为学术价值，七分是因为它巨大的应用价值，除了GMR磁头，在其他方面还有很多应用，随便列举几项，就把一帮子男女同学听得两眼发直。

“曲军同学你刚才说到磁强计、磁开关、自控元件和计算机内存，请问采用巨磁阻效应制造计算机内存，主要有什么优点，目前还有什么技术障碍？”

嗯？这个问题有点小内行啊！

曲军不由得高看了糖糖一眼，能问出巨磁阻内存有什么技术障碍，说明她真的考虑过这个问题。

“现有的GMR元件还无法控制自旋电子自由层磁矩的翻转，也就无法有效实现信息的写入和读出，另外元器件的制作非常复杂，必须设计新的制备工艺，最少做出三个电极……”

计算机内存一般分为RAM和ROM，采用巨磁阻效应制造的内存在后世被命名为MRAM，这玩意儿的功能极其强大，已经不用再分出一个只读存储器（ROM）了，存储能力比常见的RAM和ROM提高了上千倍，而且存算一体，速度飞快，开机速度绝对打败全国99.999999%的电脑……

千好万好，只有一条不好，这玩意儿的生产成本太高了，一般的计算机根本用不起，光是一个超低温的生产环境就把造价翻了一个数量级。

因为价格太贵，所以没有市场，反过来又制约了技术的发展，MRAM远不像GMR磁头那样人尽皆知。

但是在某些特定领域，比如航空航天和国防军工，根本不在乎多出来的这点成本，MRAM内存其实已经被广泛使用。

从长远看，采用巨磁阻效应制造MRAM内存也是内存行业的发展大方向，是制造下一代量子计算机的第一步，绝对是一项很重要的研究方向。

再从技术上分析，MRAM内存要采用隧穿巨磁阻的技术，磁阻变化率比超大巨磁阻效应更高，和过渡金属的研究相结合，发展出异常巨磁阻效应EMR技术。

CMR的“C”代表colossal，在英语中就是大到极致的存在，发现EMR效应后，磁阻变化率竟然比CMR又大了成千上万倍，科学家没有办法，只好把它命名为“异常”磁阻效应（EMR)。

对过渡金属和巨磁阻效应的研究，又能导向石墨烯的发明。